Deskripsi Produk
Wafer epi SiC adalah produk semikonduktor berkualitas tinggi dan canggih di pasaran. Ini adalah jenis wafer epitaksi silikon karbida yang memberikan kinerja luar biasa dalam berbagai aplikasi elektronik dan optik. Wafer epi SiC diproduksi dengan memanfaatkan teknik pertumbuhan kristal canggih, menghasilkan bahan berkualitas tinggi dengan sifat unggul.
Salah satu keuntungan signifikan dari wafer epi SiC adalah tegangan tembusnya yang tinggi, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi berdaya tinggi dan suhu tinggi. Ia juga sangat tahan terhadap tekanan termal dan mekanis, yang menjamin stabilitas dan daya tahan bahkan di lingkungan yang keras. Sifat konduktivitas termalnya yang sangat baik memungkinkan pembuangan panas yang efisien, mengurangi risiko kerusakan akibat panas pada komponen elektronik.
Wafer epi SiC banyak digunakan di berbagai perangkat elektronik dan optoelektronik, termasuk elektronika daya, penerangan, dan sensor. Ini memberikan kinerja dan keandalan yang sangat baik, bahkan dalam aplikasi berat yang memerlukan suhu tinggi dan daya tinggi. Selain itu, bahan ini merupakan alternatif yang ramah lingkungan dan berkelanjutan dibandingkan bahan tradisional berbasis silikon, menjadikannya pilihan ideal bagi konsumen yang sadar lingkungan.
|
4H Tipe N SiC 100MM, 350SPESIFIKASI WAFER μm |
|||
|
Nomor artikel |
W4H100N-4-PO (atau CO)-350 |
||
|
Keterangan |
Substrat SiC 4H |
||
|
Politipe |
4H |
||
|
Diameter |
(100+0.0-0.5) mm |
||
|
Ketebalan |
(350±25) μm (Kelas teknik ±50μm) |
||
|
Jenis Pengangkut |
tipe-n |
||
|
Dopan |
Nitrogen |
||
|
Resistivitas (RT) |
0.012-0.025Ω▪cm (Kelas teknik<0.025Ω▪cm) |
||
|
Orientasi Wafer |
(4+0.5) derajat |
||
|
Kelas teknik |
Kelas Produksi |
Kelas Produksi |
|
|
2.1 |
2.2 |
2.3 |
|
|
Kepadatan Mikropipa |
Kurang dari atau sama dengan 30cm-² |
Kurang dari atau sama dengan 10cm-² |
Kurang dari atau sama dengan 1cm-² |
|
Area Bebas Mikropipa |
Tidak ditentukan |
Lebih besar dari atau sama dengan 96% |
Lebih besar dari atau sama dengan 96% |
|
Orientasi datar (OF) |
|
||
|
Orientasi |
Paralel {1-100} ±5 derajat |
||
|
Orientasi panjang datar |
(32,5±2.0) mm |
||
|
ldentifikasi datar (IF) |
|
||
|
Orientasi |
Si-wajah: 90 derajat cw, dari orientasi datar ±5 derajat |
||
|
lidentifikasi panjang datar |
(18.0+2.0)mm
|
||
|
Permukaan |
Opsi 1: Poles standar wajah-Si Poles optik C-face yang siap pakai epi |
||
|
Opsi 2: Si-face CMP Epi-ready, cat optik C-face |
|||
|
Kemasan |
Beberapa kotak pengiriman wafer (25). |
||
|
(Paket wafer tunggal berdasarkan permintaan) |
|||
|
6H N-TYPE SiC, SPESIFIKASI WAFER 2". |
|
|
Nomor artikel |
W6H51N-0-PM-250-S |
|
Keterangan |
Substrat SiC Kelas Produksi 6H |
|
Politipe |
6H |
|
Diameter |
(50,8±38)mm |
|
Ketebalan |
(250±25) um |
|
Jenis Pengangkut |
tipe-n |
|
Dopan |
Nitrogen |
|
Resistivitas (RT) |
0.06-0.10Ω▪cm |
|
Orientasi Wafer |
(0+0.5) derajat |
|
Kepadatan Mikropipa |
Kurang dari atau sama dengan 100cm-² |
|
Orientasi orientasi datar |
Paralel {1-100} ±5 derajat |
|
Orientasi panjang datar |
(15,88±1,65)mm |
|
Identifikasi orientasi datar |
Si-wajah: 90 derajat cw. orientasi alis datar ±5 derajat |
|
lidentifikasi panjang datar |
(8+1,65) mm |
|
Permukaan |
Poles standar Si-wajah Epi-ready |
|
Wajah C kusut |
|
|
Kemasan |
Paket paket wafer tunggal atau beberapa kotak pengiriman wafer |
Gambar Produk
Mengapa Memilih Kami
Produk kami bersumber secara eksklusif dari lima produsen terkemuka dunia dan pabrik dalam negeri terkemuka. Didukung oleh tim teknis domestik dan internasional yang sangat terampil dan langkah-langkah kontrol kualitas yang ketat.
Tujuan kami adalah memberikan dukungan satu lawan satu yang komprehensif kepada pelanggan, memastikan kelancaran saluran komunikasi yang profesional, tepat waktu, dan efisien. Kami menawarkan jumlah pesanan minimum yang rendah dan menjamin pengiriman cepat dalam waktu 24 jam.
Pertunjukan Pabrik
Inventaris kami yang luas terdiri dari 1000+ produk, memastikan bahwa pelanggan dapat memesan hanya satu potong. Peralatan milik kami sendiri untuk dicing & backgrinding, dan kerja sama penuh dalam rantai industri global memungkinkan kami melakukan pengiriman dengan cepat untuk memastikan kepuasan dan kenyamanan pelanggan.
Sertifikat kami
Perusahaan kami bangga dengan berbagai sertifikasi yang telah kami peroleh, termasuk sertifikat paten, sertifikat ISO9001, dan sertifikat Perusahaan Teknologi Tinggi Nasional. Sertifikasi ini mewakili dedikasi kami terhadap inovasi, manajemen kualitas, dan komitmen terhadap keunggulan.
Tag populer: sic epitaxial wafer, produsen, pemasok, pabrik wafer sic epitaxial Cina
