Kemarin, seorang siswa di Knowledge Planet menanyakan apa saja parameter permukaan wafer silikon Bow, Warp, TTV, dll. dan bagaimana membedakannya. Menurut saya pertanyaan ini cukup representatif, sehingga saya menulis artikel khusus untuk menjelaskannya.
Parameter permukaan wafer Bow, Warp, dan TTV merupakan faktor yang sangat penting yang harus diperhatikan dalam pembuatan chip. Ketiga parameter ini bersama-sama mencerminkan keseragaman kerataan dan ketebalan wafer silikon dan berdampak langsung pada banyak langkah penting dalam proses pembuatan chip.
Apa itu TTV, Bow, Warp?
TTV (Variasi Ketebalan Total)
TTV adalah perbedaan antara ketebalan maksimum dan minimum wafer silikon. Parameter ini merupakan indikator penting yang digunakan untuk mengukur keseragaman ketebalan wafer silikon. Dalam pembuatan semikonduktor, ketebalan wafer silikon harus sangat seragam di seluruh permukaan. Biasanya diukur di lima lokasi pada wafer silikon dan perbedaan maksimum dihitung. Pada akhirnya, nilai ini menjadi dasar untuk menilai kualitas wafer silikon. Dalam aplikasi praktis, TTV wafer silikon 4-inci umumnya kurang dari 2um, dan wafer silikon 6-inci umumnya kurang dari 3um.
Busur
Busur mengacu pada kelengkungan wafer silikon dalam manufaktur semikonduktor. Kata tersebut mungkin berasal dari gambaran bentuk suatu benda bila dibengkokkan, seperti halnya bentuk busur yang melengkung. Nilai Bow ditentukan dengan mengukur deviasi maksimum antara bagian tengah dan tepi wafer silikon. Nilai ini biasanya dinyatakan dalam mikron (µm). Standar SEMI untuk wafer silikon 4-inci adalah Bow<40um.
Melengkung
Warp adalah karakteristik global wafer silikon, yang menunjukkan deviasi maksimum permukaan wafer silikon dari bidang. Ini mengukur jarak antara titik tertinggi dan terendah wafer silikon pada wafer silikon. Standar SEMI untuk wafer silikon 4-inci adalah Warp < 40um.
Apa perbedaan antara TTV, Bow, dan Warp?
TTV berfokus pada perubahan ketebalan dan tidak mempedulikan lengkungan atau puntiran wafer.
Busur berfokus pada busur secara keseluruhan, terutama mempertimbangkan busur antara titik tengah dan tepi.
Warp lebih komprehensif, termasuk lengkungan dan pelintiran seluruh permukaan wafer.
Meskipun ketiga parameter ini semuanya terkait dengan bentuk dan karakteristik geometris wafer silikon, ketiga parameter tersebut mengukur dan menjelaskan aspek yang berbeda dan memiliki efek berbeda pada proses semikonduktor dan penanganan wafer.
Dampak TTV, Bow, dan Warp pada proses semikonduktor
Pertama-tama, semakin kecil ketiga parameter tersebut, semakin baik. Semakin besar TTV, Bow, dan Warp, semakin besar pula dampak negatifnya terhadap proses semikonduktor. Oleh karena itu, jika nilai ketiganya melebihi standar, wafer silikon akan dibuang.
Dampak terhadap proses fotolitografi:
Masalah kedalaman fokus: Selama proses fotolitografi, hal ini dapat menyebabkan perubahan kedalaman fokus, sehingga mempengaruhi kejelasan pola.
Masalah penyelarasan: Hal ini dapat menyebabkan wafer bergeser selama proses penyelarasan, yang selanjutnya mempengaruhi keakuratan penyelarasan antar lapisan.
Dampak terhadap pemolesan mekanis kimia:
Pemolesan tidak merata: Hal ini dapat menyebabkan pemolesan tidak merata selama proses CMP, sehingga menyebabkan kekasaran permukaan dan tegangan sisa.
Dampak terhadap deposisi film tipis:
Deposisi yang tidak merata: Wafer cekung dan cembung dapat menyebabkan ketebalan film yang diendapkan tidak merata selama deposisi.
Dampak pada pemuatan wafer:
Masalah pemuatan: Wafer cekung dan cembung dapat menyebabkan kerusakan wafer selama pemuatan otomatis
