Wafer yang terbuat dari silikon pada isolator (SOI) diproduksi menggunakan tiga metode utama: transfer lapisan epitaksial, SOI terikat, dan silikon pada isolator. Setiap teknik mempunyai kelebihan dan manfaat tersendiri.
Pertama, lapisan silikon dapat dibuat di atas lapisan isolasi, seperti silikon dioksida, menggunakan teknik silikon pada isolator. Dengan metode ini, lapisan silikon atas dan substrat di bawahnya dipisahkan oleh lapisan oksida terkubur yang dibuat melalui implantasi ion. Metode ini bekerja sangat baik untuk memproduksi wafer dengan konduktivitas termal yang luar biasa dan lapisan yang homogen.
Kedua, lapisan tipis silikon premium diikat ke substrat isolator menggunakan proses SOI terikat. Hal ini dilakukan dengan menempelkan lapisan tipis silikon ke substrat setelah dibuat melalui implantasi ion atau pertumbuhan epitaksial. Proses ini memungkinkan terciptanya sirkuit yang sangat terintegrasi dan sangat cocok untuk memproduksi wafer dengan ketebalan tertentu.
Terakhir, metode lain untuk memproduksi wafer SOI adalah transfer lapisan epitaksial. Dengan menggunakan teknik pertumbuhan epitaksi, lapisan tipis silikon terbentuk pada substrat donor dalam proses ini. Selanjutnya, lapisan ini diikat ke substrat isolasi melalui pemolesan mekanis kimia dan ikatan wafer. Wafer SOI yang unggul dengan karakteristik kelistrikan yang luar biasa adalah produk akhirnya.